Samsung áp dụng công nghệ NAND vào các chip flash

15/08/2013 22:13

(e-CHÍP Online) - 3D V-NAND là một công nghệ mới cho phép đóng gói nhiều dữ liệu hơn vào các chip flash, điều nầy sẽ làm gia tăng đáng kể số lượng các máy tính và hệ thống lưu trữ sử dụng flash trong một vài thập kỉ tới.

Giám đốc điều hành Samsung Electronics cho biết để có thể chứa được nhiều dữ liệu hơn, họ đã thực hiện xếp chồng các tế bào với nhau thay vì làm cho chúng nhỏ và xếp gần nhau hơn. Việc nầy sẽ làm cho giá thành các thiết bị trở nên rẻ hơn và có độ bền cao hơn.

Khi các tế bào được lưu trữ gần nhau hơn, tín hiệu của nó có thể can thiệp vào nhau, và tất nhiên điều nầy sẽ gây ra những lỗi không đáng có. Samsung đã vượt qua điều nầy bằng cách xếp chồng 24 tế bào lên nhau và duy trì một khoảng cách hợp lý. Có thể coi 3D V-NAND dường như đang mở ra một cánh cửa mới để tăng thêm mật độ lưu trữ trên các chip flash.

Các chip flash NAND mới nhất sẽ được sản xuất nhỏ hơn 20nm (nanomet), và một số chuyên gia cho rằng sẽ rất khó để làm cho nó nhỏ hơn dưới 10nm.

Ông Jim Elliott, phó chủ tịch tiếp thị bộ nhớ của Samsung đã công bố ổ SSD đầu tiên sử dụng công nghệ mới nầy tại hội nghị Flash Memory tại Santa Clara, California. Ông nói rằng, sản phẩm nầy được thiết kế để giúp bạn tăng cường hiệu suất và hiệu quả khi sử dụng.

Ổ SSD nầy đang được vận chuyển đến các nhà sản xuất hệ thống với số lượng mẫu. Nó đi kèm với 2 phiên bản là 960GB và 480GB. Sản phẩm 960GB cung cấp những lợi ích và hiệu suất tốt hơn, thúc đẩy tốc độ ghi tuần tự và ngẫu nhiên lên 20% và giảm khả năng tiêu thụ điện xuống khoảng 40%, tuy nhiên giá cả của sản phẩm sử dụng công nghệ NAND nầy vẫn chưa được tiết lộ.

Minh Hoàng (Theo PCWorld)

Ý kiến bạn đọc (0)
Tên   Email

Các bài mới:
Lên đầu trang